ск хиник представио концепт фласх меморије 4д | тецхповеруп - Ск

СК Хиник представио 4Д НАНД Фласх Мемори концепт



3D NAND flash revolutionized flash storage as it used the third dimension (height) to stack multiple NAND flash layers, resulting in infinitesimally smaller footprint and reduced costs. SK Hynix believes that a '4-dimensional' NAND flash package is possible. Don't worry, such a stack doesn't look like a tesseract. Conventional 3D NAND flash relies on stacks of charge-trap flash (CTF) cells spatially located alongside its periphery block (which is responsible for wiring out each of the layers of the CTF stack). On a 2-D plane you'd be spending substrate real-estate on both the CTF and periphery block.

СК Хиник верује да се периферни блок може слагати заједно са ЦТФ стацком, а микроскопски виас повезују сноп дуж периферије, смањујући отисак сваке групе ћелија. 4Д слагање ће такође омогућити већи број ЦТФ стокова по ћелији. Да будемо јасни, говоримо о хрпама ћелија а не о хрпама НАНД флеш-дискова. В5 ћелија у СК Хиник-овом дизајну подразумева 4 ћелије и периферне блокове са сендвичима. Прва примена ове технологије је 96-слојни 4Д НАНД фласх чип капацитета 512 Гб и ТЛЦ (3 бита по ћелији) густине, мада је технологија спремна за КЛЦ ћелије. Овај чип од 512 Гб почеће узорковање до краја 2018. године, а компанија већ ради на 1 Тб чипу за 2019. годину.
Source: Tom's Hardware