ск хиник развија 1знм 16гб ддр4 драм | тецхповеруп - Ск

СК хиник развија 1Знм 16Гб ДДР4 ДРАМ



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Нови 1З нм ДРАМ такође подржава брзину преноса података до 3.200 Мбпс, што је најбржа брзина обраде података у ДДР4 интерфејсу. Компанија је значајно повећала своју енергетску ефикасност, успешно смањујући потрошњу енергије за око 40% у поређењу са модулима исте густине направљеним са 1И нм 8 Гб ДРАМ-а. Конкретно, СК хиник је применио нову супстанцу која се није користила у производном процесу претходне генерације, максимизирајући капацитет овог производа од 1Знм. Капацитет, количина електричне набоје коју кондензатор може да похрани, је кључни елемент рада ДРАМ-а. Такође је уведен нови дизајн за повећање оперативне стабилности.

„1Знм ДДР4 ДРАМ има највећу индустријску густину, брзину и ефикасност напајања, што га чини најбољим производом за испуњавање променљивих захтева купаца који траже ДРАМ високих перформанси / високе густине“, рекао је Лее Јунг-хоон, шеф 1З ТФ-а ДРАМ развој и посао. „СК хиник ће наредне године почети масовну производњу и испоруку у целости како би активно одговорио на потражњу на тржишту“.

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.