самсунг најављује свеобухватни план пута до 4 нм | тецхповеруп - Самсунг

Самсунг најавио свеобухватни план пута до 4 нм



Samsung stands as a technology giant in the industry, with tendrils stretching out towards almost every conceivable area of consumer, prosumer, and professional markets. It is also one of the companies which can actually bring up the fight to Intel when it comes to semiconductor manufacturing, with some analysts predicting the South Korean will dethrone Intel as the top chipmaker in Q2 of this year. Samsung scales from hyper-scale data centers to the internet-of-things, and is set to lead the industry with 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm and 18nm FD-SOI in its newest process technology roadmap. The new Samsung roadmap shows how committed the company is (and the industry with it) towards enabling the highest performance possible from the depleting potential of the silicon medium. The 4 nm 'post FinFET' structure process is set to be in risk production by 2020.

Ова најава такође означава понављање Самсунга да користи ЕУВ (Ектреме Ултра Виолет) технологију за производњу вафла, технологије која је дуго сматрана спаситељем гушћих процеса, али је на крају избачена из усвајања тржишта због своје сложености. Келвин Лов, старији директор маркетинга за ливарску компанију Самсунг, рекао је да је 'магични број' за продуктивност (као у, са одрживим односом улагања и приноса) са ЕУВ-ом од 1.500 резних листова дневно. Самсунг је већ премашио 1.000 вафлова дневно и има висок степен поверења да је 1.500 резања дневно могуће. Самсунгове најновије технологије и решења за ливарски процес представљена на годишњем Самсунговом форуму ливница укључују:

8ЛПП (8нм ниска снага плус)
8ЛПП пружа најконкурентнију корист од скалирања пре преласка на ЕУВ (Ектреме Ултра Виолет) литографију. Комбинујући кључне иновације процеса из Самсунгове 10нм технологије, 8ЛПП нуди додатне предности у областима перформанси и густине капија у поређењу са 10ЛПП.

7ЛПП (7нм ниска снага плус)
7ЛПП ће бити прва технологија полупроводничких процеса која ће користити ЕУВ решење за литографију. 250В максималног ЕУВ
Изворска снага, која је најважнија прекретница за уметање ЕУВ-а у производњу великих количина, развијена је заједничким напорима Самсунг-а и АСМЛ-а. Увођењем литографије ЕУВ-а срушит ће се баријере Мооре-овог скалирања закона и тако отворити пут генерацијама технологија за нанометарске полуводиче.

6ЛПП (6нм ниска снага плус)
6ЛПП ће усвојити Самсунгова јединствена решења Смарт Сцалинг, која ће бити уграђена на врх ЕУЛ-ове 7ЛПП технологије, омогућавајући веће скалирање и предности ултра-мале енергије.

5ЛПП (5нм ниска снага плус)
5ЛПП проширује границу физичког скалирања ФинФЕТ структуре применом технолошких иновација из следеће генерације процеса, 4ЛПП, за боље скалирање и смањење снаге.

4ЛПП (4нм ниска снага плус)
4ЛПП ће бити прва имплементација нове генерације архитектуре уређаја - МБЦФЕТТМ структура (Мулти Бридге Цханнел ФЕТ). МБЦФЕТТМ је Самсунгова јединствена ГААФЕТ (Гате Алл Ароунд ФЕТ) технологија која користи Наносхеет уређај за превазилажење физичког скалирања и ограничења перформанси ФинФЕТ архитектуре.

ФД-СОИ (потпуно осиромашен - силицијум на изолатору)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes